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产品技术

FC-CSP基板技术能力

WB-CSP基板技术能力

Memory-eMMC基板技术能力

Memory-MSD基板技术能力

RF基板技术能力

MEMS-SEN基板技术能力

MEMS-MIC基板技术能力

FC-CSP基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 线宽trace width/线距space:12/12μm,密集线路

· 值球焊垫中心距/Bump pitch:180μm

· 油墨类型/Solder resistor type:干膜型/liquid and dry film type

· 典型表面处理/Typical Surface finish:OSP

· 油墨对准度SM Registration:±20μm

· 支持阻抗设计/Support Impedance

1.jpg

FC-CSP基板


基板特征

· 2~6层板

· 封装方式: FC

· 线宽/线距:12/12μm~25μm/25μm

应用领域

FCCSP基板用于智能手机、平板、多媒体设备等领域高端处理器芯片的封装。



WB-CSP基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 线宽trace width/线距space:30/30μm,密集线路

· 手指finger width/手指间距finger space:90/40μm

· 油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 严格的油墨平整度要求/ Strict SM flatness control ≤5μm

· 油墨对准度SM Registration:±20μm

· 支持内层厚铜设计/support Inner Layer Cu Thickness 1OZ

· 支持阻抗设计/Support Impedance 

· 支持无引线电镀镍金设计/Support Bussless

1.jpg

WB-CSP基板

基板特征

· 2~6层板

· 封装方式: WB

· 尺寸: 3x3mm - 23x23mm

· 板厚: 0.11mm~0.56mm

· 线宽/线距:25/25μm~40μm/40μm

应用领域

手机,平板电脑,机顶盒等用的应用处理器

Memory-eMMC基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,3,4

· 薄板: 2L 100μm, 3L 130μm, 4L 170μm

· 线宽pitch/width/space:50/18/20μm , 手指 pitch/width/space:70/40/15μm

· 油墨平整度SR Flatness:线路3μm, 孔5μm 

· 油墨油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 盲孔孔径BLV/孔盘Land:65/125μm


1.jpg

Memory-eMCP基板

基板特征

· 2,3,4层板/

· 打线手指节距70~90μm

· 严格的油墨平整度控制

表面处理:电金+OSP 

应用领域

应用于手机、PC、服务器等设备中的嵌入式存储芯片封装。

Memory-MSD基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4

· 板厚: 2L 130μm, 210μm  4L 220μm

· 线宽pitch/width/space:70/20/20μm , 手指 pitch/width/space:90/35/15μm

· 油墨平整度SR Flatness:线路3μm, 孔5μm 

1.jpg

Memory-MSD基板

基板特征

· 2~4层板

· 板厚:130μm

· 打线手指节距:75μm~100μm

· 油墨种类:黑油

· 表面处理:电硬金,电镀软金

应用领域

应用于手机,导航,数码相机,PAD, Laptop等设备中的Memory模块。


RF基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2-6

· 线宽公差:减成法:±10μm,改进半加成法: :±5μm /Subtractive Process:±10μm,MSAP: :±5μm

· 表面处理:化学学镍钯金或电镀镍金,支持WB和FC封装/ Surface finish: ENEPIG and Ni&Au,support WB and FC assembly

· 盲孔孔径/孔盘:60/110μm,  BLV Dia/Land: 60/110μm

· 相邻层与任意层层间对位能力/Layer shift :Adjacent layer / Any layer:25μm Max/50μm Max

· 支持孔上打线设计,塞孔凹陷-3~+5μm/Support via on  finger design,dimple range -3~5μm

1.jpg

RF基板

基板特征

· 2~8层板

· 表面处理方式: 电镀镍金,无引线电镍金,化学镍钯金,OSP 等

· 严格的图形和厚度一致性管控

· 严格的层间对位管控

应用领域:

应用于手机、可穿戴设备中的RFFEM模块等。


MEMS-SEN基板技术能力

1.png

· 2层板板厚/2L Thin board , Total thickness : 100μm ±20μm;

· 线宽trace width/线距space:25/25μm

· 油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 盲孔孔径BLV/孔盘Land:65/125μm

· 油墨对准度SM Registration:±15μm

· 支持无引线电镀镍金设计/Support Bussless

1.jpg

MEMS-SEN基板

基板特征

· 2层板

· 薄板:100μm~130μm

· 精细线路

· 表面处理方式: 电镀镍金,无引线电镍金,化学镍钯金,OSP 等

· 严格的翘曲度控制

应用领域

应用于智能手机、可穿戴设备、汽车、医疗等领域的传感器封装。


MEMS-MIC基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 埋电容材料电容密度/nEmbeded  capacitance density  Max.40nf/in2:

· 容值精度/Capacitor value tolerance: Target±20%

· 埋电阻材料方阻率/Rs for Embeded resistance material:10~250 Ω/□

· 基板阻值精度/Resistor value tolerance: Target±20%

· 结构多样,支持树脂塞孔和铜塞孔/ Multiple  structure, support resin and copper plugging

· 声孔孔径公差/ Port Hole Dia Tolerance (NPTH):±50μm

1.jpg

MEMS-MIC基板

基板特征

· 2,4,6层板

· 埋容埋阻技术

应用领域

应用于智能手机、智能音箱、可穿戴和PC等设备中的微机电系统-麦克风模组封装。


FC-CSP基板技术能力

WB-CSP基板技术能力

Memory-eMMC基板技术能力

Memory-MSD基板技术能力

RF基板技术能力

MEMS-SEN基板技术能力

MEMS-MIC基板技术能力

FC-CSP基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 线宽trace width/线距space:12/12μm,密集线路

· 值球焊垫中心距/Bump pitch:180μm

· 油墨类型/Solder resistor type:干膜型/liquid and dry film type

· 典型表面处理/Typical Surface finish:OSP

· 油墨对准度SM Registration:±20μm

· 支持阻抗设计/Support Impedance

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FC-CSP基板


基板特征

· 2~6层板

· 封装方式: FC

· 线宽/线距:12/12μm~25μm/25μm

应用领域

FCCSP基板用于智能手机、平板、多媒体设备等领域高端处理器芯片的封装。



WB-CSP基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 线宽trace width/线距space:30/30μm,密集线路

· 手指finger width/手指间距finger space:90/40μm

· 油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 严格的油墨平整度要求/ Strict SM flatness control ≤5μm

· 油墨对准度SM Registration:±20μm

· 支持内层厚铜设计/support Inner Layer Cu Thickness 1OZ

· 支持阻抗设计/Support Impedance 

· 支持无引线电镀镍金设计/Support Bussless

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WB-CSP基板

基板特征

· 2~6层板

· 封装方式: WB

· 尺寸: 3x3mm - 23x23mm

· 板厚: 0.11mm~0.56mm

· 线宽/线距:25/25μm~40μm/40μm

应用领域

手机,平板电脑,机顶盒等用的应用处理器

Memory-eMMC基板技术能力

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· 层数/layer  amount:  2,3,4

· 薄板: 2L 100μm, 3L 130μm, 4L 170μm

· 线宽pitch/width/space:50/18/20μm , 手指 pitch/width/space:70/40/15μm

· 油墨平整度SR Flatness:线路3μm, 孔5μm 

· 油墨油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 盲孔孔径BLV/孔盘Land:65/125μm


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Memory-eMCP基板

基板特征

· 2,3,4层板/

· 打线手指节距70~90μm

· 严格的油墨平整度控制

表面处理:电金+OSP 

应用领域

应用于手机、PC、服务器等设备中的嵌入式存储芯片封装。

Memory-MSD基板技术能力

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· 层数/layer  amount:  2,4

· 板厚: 2L 130μm, 210μm  4L 220μm

· 线宽pitch/width/space:70/20/20μm , 手指 pitch/width/space:90/35/15μm

· 油墨平整度SR Flatness:线路3μm, 孔5μm 

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Memory-MSD基板

基板特征

· 2~4层板

· 板厚:130μm

· 打线手指节距:75μm~100μm

· 油墨种类:黑油

· 表面处理:电硬金,电镀软金

应用领域

应用于手机,导航,数码相机,PAD, Laptop等设备中的Memory模块。


RF基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2-6

· 线宽公差:减成法:±10μm,改进半加成法: :±5μm /Subtractive Process:±10μm,MSAP: :±5μm

· 表面处理:化学学镍钯金或电镀镍金,支持WB和FC封装/ Surface finish: ENEPIG and Ni&Au,support WB and FC assembly

· 盲孔孔径/孔盘:60/110μm,  BLV Dia/Land: 60/110μm

· 相邻层与任意层层间对位能力/Layer shift :Adjacent layer / Any layer:25μm Max/50μm Max

· 支持孔上打线设计,塞孔凹陷-3~+5μm/Support via on  finger design,dimple range -3~5μm

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RF基板

基板特征

· 2~8层板

· 表面处理方式: 电镀镍金,无引线电镍金,化学镍钯金,OSP 等

· 严格的图形和厚度一致性管控

· 严格的层间对位管控

应用领域:

应用于手机、可穿戴设备中的RFFEM模块等。


MEMS-SEN基板技术能力

1.png

· 2层板板厚/2L Thin board , Total thickness : 100μm ±20μm;

· 线宽trace width/线距space:25/25μm

· 油墨类型/Solder resistor type:液态和干膜型/liquid and dry film type

· 盲孔孔径BLV/孔盘Land:65/125μm

· 油墨对准度SM Registration:±15μm

· 支持无引线电镀镍金设计/Support Bussless

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MEMS-SEN基板

基板特征

· 2层板

· 薄板:100μm~130μm

· 精细线路

· 表面处理方式: 电镀镍金,无引线电镍金,化学镍钯金,OSP 等

· 严格的翘曲度控制

应用领域

应用于智能手机、可穿戴设备、汽车、医疗等领域的传感器封装。


MEMS-MIC基板技术能力

1.png

· 层数/layer  amount:  2,4,6

· 埋电容材料电容密度/nEmbeded  capacitance density  Max.40nf/in2:

· 容值精度/Capacitor value tolerance: Target±20%

· 埋电阻材料方阻率/Rs for Embeded resistance material:10~250 Ω/□

· 基板阻值精度/Resistor value tolerance: Target±20%

· 结构多样,支持树脂塞孔和铜塞孔/ Multiple  structure, support resin and copper plugging

· 声孔孔径公差/ Port Hole Dia Tolerance (NPTH):±50μm

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MEMS-MIC基板

基板特征

· 2,4,6层板

· 埋容埋阻技术

应用领域

应用于智能手机、智能音箱、可穿戴和PC等设备中的微机电系统-麦克风模组封装。


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