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技术能力

CSP 特点 封装尺寸:3*3mm - 19*19mm
板厚:0.10mm-0.36mm
球间距:0.8mm, 0.65mm, 0.5mm, 0.4mm, 0.3mm
最小线宽/间距:30/30um
材料符合ROHS标准
层数从2层到6层的HDI
结构:单叠,多叠,POP,嵌入式芯片
应用:数字基带,功率管理,图像处理器,多媒体控制器
优势:尺寸小,重量轻
   小电感,低电容和增强的电气性能
PBGA特点 封装尺寸:21*21mm - 35*35mm
板厚: 0.36mm-0.58mm
球间距: 0.8mm, 1.0mm, 1.27mm
最小线宽/间距: 35/35um
材料符合ROHS标准
层数从2层到6层的HDI
应用:微处理器封装,控制器,ASIC,门阵列,存储器,DSPs,PLSs,通信,网络,图形和PC芯片组
优势:高互连能力,低封装规格,高密度,增强的电性能和热性能
SIP特点 封装尺寸: 3*3mm -10*12mm
兼容BGA和LGA
通孔高效导热
微导通孔上可打线
精细的阻抗线宽控制
多种表面处理方式以方便引线键合,倒装芯片或混合类型连接
应用:PA模块,收发器,蓝牙
   前端模块、GPS、基带和射频芯片解决方案
SD/Micro SD特点 基板最薄厚度可达0.1mm
严格的基板平整度
绿色、黑色阻焊油墨
电镀软硬金
应用:针对3c产品的记忆体卡(手机,掌上电脑,全球定位仪,笔记本等)
MEMS特点 封装尺寸:≥3*2mm
最小芯板厚度:85umtd>
最小线宽/间距:50/50um
埋入式的电容电阻
应用:手机,数码相机,笔记本,蓝牙设备